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台湾晶技发表抗残磁干扰 (Anti-magnetic hysteresis) 3轴电子罗盘 (产品代号PM131) 台湾晶技
07/22/2015

台湾晶技发表全新开发的抗残磁干扰3轴电子罗盘,封装尺寸大小为1.6mm x 1.6mm x 1.0 mm。采用异向性磁阻(Anisotropic Magneto-Resistive, AMR) 技术,先行开发出优于同业之具抗残磁干扰与低功耗特性的3轴电子罗盘,并将据此技术持续开发6轴电子罗盘。台湾晶技3轴电子罗盘,于接受外部磁干扰后,能自动回复磁场侦测功能,带给客户更方便之使用效益,且不需进行8字校正,具备长时间使用之便利性。对于消费性电子产品如智能型手机、穿戴式等行动装置,均为绝佳的解决方案。

主要消费性电子应用如下:电子罗盘、虚拟现实应用、汽车导航系统及个人步行导航。

特点 优势
抗残磁干扰 于单体(component level)状态下,具备抗残磁干扰功能,可大幅降低外在突发性强磁场后的影响,让使用者不需进行8字手动校正即可正常使用
具备低耗电特性 相对于霍尔组件技术,可大幅延长行动装置的电池使用时间达5倍之多
支持高采样频率(Output Data Rate, ODR) 提供高采样频率(200Hz),相较于一般其他60~100Hz之产品,更符合虚拟现实的应用要求
具热稳定性 具备抗高温之热稳定性,本产品在-40度到95度之环境下,仍然保有准确的角度指向性(≦2 degree)


PM131产品外观

PM131 产品尺寸

PM131电性规格

Item/Type PM131
Operating Current(8Hz) 72 μA
Operating Current (100Hz) 600 μA
Analog Supply Voltage 1.8 ~ 2.8 V
Digital Supply Voltage 1.72 ~ 3.6 V
Hysteresis 0.1% FS
Dynamic Range +/- 16 Gauss
Linearity** 1% FS
Resolution 3 mG
Zero Gauss Drift +/- 3 mG
Operating Temperature Range - 40 ~ 85 ℃
Storage Temperature Range - 40 ~ 125 ℃


*Operating conditions: Ta=+25℃; AVDD=1.8V; VDDIO=2.8V; 4.7µF ceramic capacitors tied closely to AVDD and GND respectively
** within +/-3 Gauss
若需要更多相关产品信息,请与TXC当地办事处联系或透过样品需求表与本公司联络。

 

公司发言人:

洪冠文--财务长
电话:+886-2-2894-1202*2141
Email:vivien@txc.com.tw

公司代理发言人:

张瑛枫--总经理特别助理
电话:+886-2-2894-1202*3105
Email:sophia@txc.com.tw


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